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STGW80H65FB

Low thermal resistance

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意法半導體意法半導體集團

STGW80H65FB

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 120A 469W TO-247

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意法半導體意法半導體集團

STGW80H65FB-4

Safe paralleling

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意法半導體意法半導體集團

STGW80H65FB-4

Package：TO-247-4；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247

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STGWA80H65DFB

Tightparameterdistribution

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STGWA80H65DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

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STGWA80H65DFBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features ?AEC-Q101qualified ?High-speedswitchingseries ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?LowVCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A ?Minimizedtailcurrent ?Tightparameterdistribution ?PositivetemperatureVCE(sat)coefficient ?Softandveryfastrecoveryantiparallel

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STGWA80H65FB

Lowthermalresistance

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STGWA80H65FBAG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C High-speedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A Tightparametersdistribution Saferparalleling Lowthermalresistance Applications PFC Highfrequencyconverters Descriptio

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STGWT80H65DFB

Highspeedswitchingseries

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW80H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，80A

  • 開關能量：

    2.1mJ（開），1.5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    84ns/280ns

  • 測試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 469W TO-247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGW80H65FB供應商 更新時間2025-2-2 14:24:00

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