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STGYA120M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGYA120M65DF2AG

Marking:G120M65DF2AG;Package:Max247;Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package

Features ?AEC-Q101qualified ?6μsofshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=120A ?Tightparameterdistribution ?Saferparalleling ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Lowthermalresistance ?Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode ?Maximumj

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGYA120M65DF2AG

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STGYA120M65DF2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 18:11:00