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STGWT60V60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT60V60DF
廠商型號(hào)

STGWT60V60DF
參數(shù)屬性

STGWT60V60DF 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A 375W TO3P
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed
IGBT 600V 80A 375W TO3P
絲印標(biāo)識(shí)

GWT60V60DF
封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3，SC-65-3
文件大小

1.62941 Mbytes
頁面數(shù)量

20 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 17:45:00

STGWT60V60DF規(guī)格書詳情

STGWT60V60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWT60V60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? Tail-less switching off

? VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A

? Tight parameter distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Photovoltaic inverters

? Uninterruptible power supply

? Welding

? Power factor correction

? Very high frequency converters

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the V series

of IGBTs, which represents an optimum

compromise between conduction and switching

losses to maximize the efficiency of very high

frequency converters. Furthermore, a positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in safer paralleling

operation.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWT60V60DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    750μJ（開），550μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    60ns/208ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，60A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 375W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
21+
TO-3P
5590
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-3P-3
8860
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ST/意法半導(dǎo)體
TO-3P-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-3P-3
8860
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STMicroelectronics
24+
TO-3P-3,SC-65-3
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ST
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TO-3P
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-3P-3
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ST/意法
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原裝分貨 強(qiáng)勢(shì)渠道
 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-3P
14100
原裝正品
 詢價(jià)

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