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STGWT60V60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT60V60DF
廠商型號

STGWT60V60DF

參數(shù)屬性

STGWT60V60DF 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 375W TO3P

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speed
IGBT 600V 80A 375W TO3P

絲印標(biāo)識

GWT60V60DF

封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

1.62941 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 8:30:00

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STGWT60V60DF價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

STGWT60V60DF規(guī)格書詳情

STGWT60V60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWT60V60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? Tail-less switching off

? VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A

? Tight parameter distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Photovoltaic inverters

? Uninterruptible power supply

? Welding

? Power factor correction

? Very high frequency converters

Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the V series

of IGBTs, which represents an optimum

compromise between conduction and switching

losses to maximize the efficiency of very high

frequency converters. Furthermore, a positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in safer paralleling

operation.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGWT60V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,60A

  • 開關(guān)能量:

    750μJ(開),550μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    60ns/208ns

  • 測試條件:

    400V,60A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 375W TO3P

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-3P-3
6008
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
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ST/意法半導(dǎo)體
2023+
TO-3P-3
6000
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗(yàn)、終端BOM表可配單提供
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ST/意法半導(dǎo)體
TO-3P-3
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TO-3P-3
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ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-3P-3
10000
只有原裝,原裝,假一罰十
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STMicroelectronics
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TO-3P-3,SC-65-3
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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