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TH58BVG2S3HBAI4

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TH58BVG2S3HBAI4

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 封裝/外殼:63-VFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TH58BVG2S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    Benand?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TH58BVG2S3HBAI4供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 13:30:00