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TH58BVG3S0HTAI0

8 GBIT (1G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM

DESCRIPTION TheTH58BVG3S0HTAI0isasingle3.3V8Gbit(8,858,370,048bits)NANDElectricallyErasableand ProgrammableRead-OnlyMemory(NANDE2PROM)organizedas(4096+128)bytes×64pages×4096blocks. Thedevicehasa4224-bytestaticregisterwhichallowsprogramandreaddatatobetr

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TH58BVG3S0HTAI0

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC FLASH 8GBIT 48TSOP I

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TH58BVG3S0HTAI0

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    Benand?

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲(chǔ)容量:

    8Gb(1G x 8)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP I

  • 描述:

    IC FLASH 8GBIT 48TSOP I

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多TH58BVG3S0HTAI0供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 13:30:00