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2SA1162	文件：699.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltageandcurrent,excellenthFElinearity,highhFE,lownoise,complementaryto2SC2712. Applications Audiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA1162	文件：200.74 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) Complementaryto2SC2712. SmallPackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2SA1162	文件：98.23 Kbytes Page：1 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWFREQRENCY,LOWNOISEAMPLIFIER ?Complemento2SC2712 ?Collector-current:Ic=-100mA Collector-EmillerVoltage:VCE=-45V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2SA1162	文件：222.34 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司	GSME
2SA1162	文件：1.11548 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lownoise ●Complementaryto2SC2712 ●SmallPackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1162	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：836.19 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES .Lownoise .Complementaryto2SC2712 .SmallPackage	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
2SA1162	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	NewJerseySemi-ConductorProducts, NewJerseySemi-ConductorProducts	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2SA1162	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SA1162	文件：312.92 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES .Lownoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) .Complementaryto2SC2712. .SmallPackage. MARKING:SO,SY,SG	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
2SA1162	文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：324.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURES ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.) ?Complementsofthe2SC2712 MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,MoldedPlastic ?Weight:0.008grams(approx.)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1162	文件：69.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：270.47 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lownoise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ●Commplementaryto2SC2712. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SA1162	文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：153.83 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V,IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(IC=?0.1mA)/hFE(IC=?2mA) =0.95(typ.) ?HighhFE:hFE=70~400 ?Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：86.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor ■Features ●Highvoltageandhighcurrent ●HighhFE:hFE=70~400 ●Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) ●Complementaryto2SC2712	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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更多2SA1162-YLF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 14:01:00

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