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71T75902S85BG8

1M x 18 2.5V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

Features ◆1Mx18memoryconfiguration ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRITE)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71T75902S85BG8

2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71T75902S85BG8

包裝：托盤 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71T75902S85BG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    18Mb（1M x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多71T75902S85BG8供應(yīng)商 更新時間2024-11-14 15:00:00

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