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A5G35H055N_V01

Airfast RF Power GaN Transistor

This7.6WasymmetricalDohertyRFpowerGaNtransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidth capabilitycoveringthefrequencyrangeof3400to3600MHz. Thispartischaracterizedandperformanceisguaranteedforapplications operatin

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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更多A5G35H055N_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-6 18:35:00

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