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A5G35S004N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
A5G35S004N |
| 參數(shù)屬性 | A5G35S004N 封裝/外殼為6-LDFN 裸露焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, |
| 功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
| 封裝外殼 | 6-LDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
199.94 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-10 19:05:00 |
A5G35S004N規(guī)格書詳情
This RF power GaN transistor is designed for cellular base station
applications covering the frequency range of 3300 to 4300 MHz.
Features
? High terminal impedances for optimal broadband performance
? Designed for low complexity analog or digital linearization systems
? Universal broadband driver
? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
A5G35S004NT6
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 頻率：
3.3GHz ~ 4.3GHz
- 增益：
16.9dB
- 功率 - 輸出：
24.5dBm
- 封裝/外殼：
6-LDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
6-PDFN（4x4.5）
- 描述：
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
2022+ |
原廠封裝 |
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