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A5G35S004N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

A5G35S004N
廠商型號(hào)

A5G35S004N

參數(shù)屬性

A5G35S004N 封裝/外殼為6-LDFN 裸露焊盤(pán);包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封裝外殼

6-LDFN 裸露焊盤(pán)

文件大小

209.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-10 19:05:00

A5G35S004N規(guī)格書(shū)詳情

This RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 3300 to 4300 MHz.

Features

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Designed for low complexity linearization systems

? Universal broadband driver

? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A5G35S004NT6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 頻率:

    3.3GHz ~ 4.3GHz

  • 增益:

    16.9dB

  • 功率 - 輸出:

    24.5dBm

  • 封裝/外殼:

    6-LDFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-PDFN(4x4.5)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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