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A5G35S008N_V01規(guī)格書詳情
This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station
applications covering the frequency range of 3300 to 3800 MHz.
Features
? High terminal impedances for optimal broadband performance
? Designed for low complexity analog or digital linearization systems
? Universal broadband driver
? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
58000 |
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NXP |
22+ |
NA |
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LLP8 |
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SOT23-5 |
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