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AVHF425

IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm

CIT

CIT Relay & Switch

AVHT425

IlluminatedPushbutton-22,25,28&30mm

CIT

CIT Relay & Switch

BE425M

APCBack-UPS,6Outlets,425VA,120V

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德電氣

BFG425W

NPN25GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFG425W

Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT

Microwave,lownoise,SiGeNPNHBT UHF25GHZ,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343Rpackage,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhigh

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

BFG425W

NPNTransistors

■Features ●Veryhighpowergain ●Lownoisefigure ●25GHzwidebandtransistor ●Emitteristhermallead ●Lowfeedbackcapacitance.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BFG425W

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BFG425W

iscSiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BFG425W

GENERALPURPOSETRANSISTORRFNPNTRANSISTORMICROWAVELOWNOISE

DESCRIPTION UHF25GHz,lownoisetransistorwithSiGeHBTtechnique,highpowergain,lownoiseandlargedynamicrange.TheadoptionofsubminiatureSOT-343package,especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFbroadbandhighfrequencylownoiseampli

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

BGA425

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Multifunctionalcasc.50廓blockLNA/MIXUnconditionallystable)

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie Preliminarydata ?Multifunctionalcasc.50?block(LNA/MIX) ?Unconditionallystable ?Gain|S21|2=18.5dBat1.8GHz(appl.1) gain|S21|2=22dBat1.8GHz(appl.2) IP3out=+7dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=9.5mA) ?NoisefigureNF=2

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    AOD425

  • 功能描述：

    MOSFET P CH 30V 50A TO252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AOS(萬代)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
17774
我們只是原廠的搬運工
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AOS/萬代
2019+
TO252
3333
原廠渠道 可含稅出貨
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AOS/萬代
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TO-252
333888
AOS原裝正品-原廠代理商渠道
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AOS/萬代
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TO252
498465
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
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只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
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35000
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AOS
2016+
TO252
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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24+
TO-252
3500
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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2020+
TO252
199
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多AOD425供應(yīng)商 更新時間2025-4-17 14:22:00

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