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BD650F | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor Preliminarydata ?Forhighpoweramplifiers ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainGma=21dBat1.8GHz NoisefigureF=0.9dBat1.8GHz ?Goldmetallizationforhighreliability ?70GHzfT-SiliconGermaniumtechnology. | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HighLinearityLowNoiseSiGe:CNPNRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HighLinearitySiliconGermaniumBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconGermaniumRFTransistor LinearLowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor ?Formediumpoweramplifiersanddriverstages ?BasedonInfineonsreliablehighvolumeSilicon Germaniumtechnology ?HighOIP3andP-1dB ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainG ma=21.5dBat1.8GHz Mini | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LinearLowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
EC-motorwithplanetarygearunitforautomaticspindlepositioningcycles | IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd 堡盟電子堡盟電子（上海）有限公司 | IVO | ||
BandpassFilter | MINI Mini-Circuits | MINI | ||
BandpassFilter | MINI Mini-Circuits | MINI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
LSO
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDT62AF,BDT62BF,BDT62CF,2SB1020,2SB1283,
- 最大耗散功率：
>20W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
20.0001
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
2022+ |
TO-220F |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢(xún)價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-TO-220F |
53200 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220F |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-220F |
66900 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220F |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢(xún)價(jià) | ||
N/A |
23+ |
原廠封裝 |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
23+ |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢(xún)價(jià) | ||||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
66 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) |
