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BFP650	文件：209.79 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP650	文件：191.16 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor Preliminarydata ?Forhighpoweramplifiers ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainGma=21dBat1.8GHz NoisefigureF=0.9dBat1.8GHz ?Goldmetallizationforhighreliability ?70GHzfT-SiliconGermaniumtechnology.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP650	文件：1.83564 Mbytes Page：27 Pages	HighLinearityLowNoiseSiGe:CNPNRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP650	文件：1.51515 Mbytes Page：29 Pages	HighLinearitySiliconGermaniumBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP650F	文件：129.99 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor LinearLowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor ?Formediumpoweramplifiersanddriverstages ?BasedonInfineonsreliablehighvolumeSilicon Germaniumtechnology ?HighOIP3andP-1dB ?Idealforlowphasenoiseoscilators ?Maxim.availableGainG ma=21.5dBat1.8GHz Mini	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP650F	文件：556.56 Kbytes Page：7 Pages	LinearLowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BG650	文件：599.47 Kbytes Page：4 Pages	EC-motorwithplanetarygearunitforautomaticspindlepositioningcycles	IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd 堡盟電子堡盟電子（上海）有限公司	IVO
BPF-C650	文件：427.19 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BPF-C650+	文件：427.19 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BRUS650	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BTS650P	文件：187.97 Kbytes Page：16 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch(OverloadprotectionCurrentlimitationShortcircuitprotectionOvertemperatureprotection) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,currentcontrolledinputanddiagnosticfeedbackwithloadcurrentsense,integratedinSmartSIPMOS?chiponchiptechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features ?Overloadprotection ?Currentlimitatio	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BTS650P	文件：309.99 Kbytes Page：16 Pages	SmartHighsideHighCurrentPowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,currentcontrolledinputanddiagnosticfeedbackwithloadcurrentsense,integratedinSmartSIPMOS?chiponchiptechnology.Providingembeddedprotectivefunctions. Features ?Overloadprotection ?Currentlimitation ?Shor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BUF650	文件：88.71 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor Features ●Simple-sWitch-OffTransistor(SWOT) ●HIGHSPEEDtechnology ●Planarpassivation ●100kHzswitchingrate ●Verylowswitchinglosses ●Verylowdynamicsaturation ●Verylowoperatingtemperature ●OptimizedRBSOA ●Highreversevoltage Applications Electroniclampballas	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
BUF650	文件：308.96 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=400V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.2V(Max)@IC=1.6A APPLICATIONS ·Electroniclampballastcircuits ·Switch-modepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BZP650	文件：1.27892 Mbytes Page：25 Pages	BZP650	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商	ETC1
C650	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features ?SingleOutput ?3Ux42TEx166.5mm ?Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C650	文件：648.08 Kbytes Page：6 Pages	TransientBlockingUnits-TBU??Devices	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
CDBD650-G	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CN650	文件：151.02 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CNS650-M	文件：1.41675 Mbytes Page：8 Pages	TypeBFready	ARTESYN Artesyn Embedded Technologies	ARTESYN

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BD650S
功能描述：
達(dá)林頓晶體管 PNP DARLINGTON 100V 8A
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
集電極—基極電壓
最大直流電集電極電流：
0.5 A
最大工作溫度：
+ 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOIC-18
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	BD650-S	BOURNSINC	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	BD650-S	BOURNS	22+	NA	30000	100%全新原裝假一賠十	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	BD650-S	Bourns	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BD650-S	BOURNSINC	24+	TO-TO-220	12300	獨(dú)立分銷(xiāo)商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BD651		24+	TO-220	10000	全新	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	BD651	ST	23+	TO-220	9896		詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	BD651	ST	2020+	TO-220	4000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	BD651	ST	24+	TO-220	15000	原裝現(xiàn)貨熱賣(mài)	詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	BD651	ST	16+	TO-220	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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