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BFG540W	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG540W/X	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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