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BFG540W	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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BFG540W/X	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W/XR	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG540W/XR	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
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BFG540W-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG540X	文件：343.31 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG540-X	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
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BFM540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFP540	文件：159.89 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighestgainandlownoiseamplifier ?OutstandingGms=21.5dBat1.8GHzMinimumnoisefigureNFmin=0.9dBat1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：548.51 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540	文件：578.51 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：228.29 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier ?HighESDrobustness typicalvalue1000V(HBM) ?OutstandingGms=21.5dB@1.8GHz MinimumnoisefigureNFmin=0.9dB@1.8GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP540ESD	文件：602.67 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BFG540 T/R
功能描述：
射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶體管極性：
NPN
最大工作頻率：
7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
15 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
2 V
集電極連續(xù)電流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe
最大工作溫度：
+ 150 C
封裝/箱體：
SOT-223
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BFG5401X	PHILIPS/飛利浦	23+	SOT-143	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BFG540215	NXP USA Inc.	24+	TO-253-4 TO-253AA	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BFG540N37	PHILIPS	24+	SOT143	20000		詢價
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深圳市昌和盛利電子有限公司	BFG540W	NXP	23+	原廠封裝	12300		詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	BFG540W	NXP	1225+	SOT23	3000	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
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更多BFG540 T/R供應(yīng)商更新時間2025-1-12 11:09:00

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