首頁>BLF6G10LS-160RN>規(guī)格書詳情

BLF6G10LS-160RN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G10LS-160RN
廠商型號

BLF6G10LS-160RN

參數(shù)屬性

BLF6G10LS-160RN 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

文件大小

162.86 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-2 23:15:00

BLF6G10LS-160RN規(guī)格書詳情

General description

160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.

Features

Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 920 MHz and 960 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1200 mA:

Average output power = 32 W

Power gain = 22.5 dB

Efficiency = 27

ACPR = ?41 dBc

Easy power control

Integrated ESD protection

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF6G10LS-160RN

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    922.5MHz ~ 957.5MHz

  • 增益:

    22.5dB

  • 額定電流(安培):

    39A

  • 功率 - 輸出:

    32W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP
0927+
1
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
NXP/恩智浦
23+
NA/
51
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
24+
N/A
73000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
NXP
24+
SMD
1680
NXP專營品牌進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
PHILIPS
23+
高頻管
1520
專營高頻管模塊,全新原裝!
詢價
NXP
18+
SOT-538A
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價
NXP
24+
SMD
2789
全新原裝自家現(xiàn)貨!價格優(yōu)勢!
詢價
NXP
23+
28000
原裝正品
詢價
NXP
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
NXP
NA
5500
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
詢價