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BLF6G10LS-160RN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BLF6G10LS-160RN |
參數(shù)屬性 | BLF6G10LS-160RN 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
文件大小 |
162.86 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-2 23:15:00 |
BLF6G10LS-160RN規(guī)格書詳情
General description
160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.
Features
Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 920 MHz and 960 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1200 mA:
Average output power = 32 W
Power gain = 22.5 dB
Efficiency = 27
ACPR = ?41 dBc
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)
Internally matched for ease of use
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BLF6G10LS-160RN
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
922.5MHz ~ 957.5MHz
- 增益:
22.5dB
- 額定電流(安培):
39A
- 功率 - 輸出:
32W
- 封裝/外殼:
SOT-502B
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT502B
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
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