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BLF6G10LS-160RN分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G10LS-160RN
廠商型號

BLF6G10LS-160RN

參數(shù)屬性

BLF6G10LS-160RN 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

封裝外殼

SOT-502B

文件大小

162.86 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 11:00:00

BLF6G10LS-160RN規(guī)格書詳情

General description

160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.

Features

Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 920 MHz and 960 MHz, a supply voltage of 32 V and an IDq of 1200 mA:

Average output power = 32 W

Power gain = 22.5 dB

Efficiency = 27

ACPR = ?41 dBc

Easy power control

Integrated ESD protection

Excellent ruggedness

High efficiency

Excellent thermal stability

Designed for broadband operation (700 MHz to 1000 MHz)

Internally matched for ease of use

Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF6G10LS-160RN

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    922.5MHz ~ 957.5MHz

  • 增益:

    22.5dB

  • 額定電流(安培):

    39A

  • 功率 - 輸出:

    32W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
原裝
1922+
8600
萊克訊原廠貨源每一片都來自原廠原裝現(xiàn)貨薄利多
詢價
NXP/恩智浦
23+
SOT-123A
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
NXP
23+
12800
##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
詢價
NXP
23+
提供BOM配單服務
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
PHILIPS
23+
高頻管
1520
專營高頻管模塊,全新原裝!
詢價
Ampleon USA Inc.
22+
SOT502B
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
Ampleon USA Inc.
21+
SOT502B
13880
公司只售原裝,支持實單
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NXP
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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