久久精品无码日韩一区二区Aⅴ,国产av丝袜旗袍无码,中文激情在线一区二区

首頁(yè) >CEM6601A>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
CEM6601A	文件：420.2 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6601	文件：434.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：601.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CET6601A	文件：504.34 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU6601	文件：990.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEU6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC6601A	文件：941.71 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-13.5A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM6601JPT	文件：212.92 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchi	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJL6601	文件：803.2 Kbytes Page：2 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJQ6601	文件：3.87754 Mbytes Page：6 Pages	N-channelandP-channelComplementaryMOSFETS	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
DMG6601LVT	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6601LVT	文件：9.6704 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET ProductSummary N-Channel Vps=30V,Ip=4A Ros(on)30mQ@Ves=10V(Typ) Ros(on)50mQ@Ves=-4.5V(Typ) P-Channel Vos=-30V,Ip=3A Ros(on)45mQ@Ves=-10V(Typ) Rosion)85mQ@Ves=-4.5V(Typ)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
E6601A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
EFC6601R	文件：422.24 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
EFC6601R	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
EFC6601R-TR	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FP6601Q	文件：491.98 Kbytes Page：8 Pages	USBDedicatedChargingPortControllerforFastChargingProtocolandQC2.0/3.0	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
FTK6601S	文件：480.35 Kbytes Page：5 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	FS First Silicon Co., Ltd	FS

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市中福國(guó)際管理有限公司	CEM6601A	CET/華瑞	23+	SO-8	360000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEM6601IC	CET/華瑞	23+	SOP-8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	CEM6601IC	CET/華瑞	2022	SOP-8	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	CEM6601L	CEM	23+	SOP-8	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司	CEM6601-VB	VBSEMI	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEM6607	SR	23+	SO8	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEM6607	CET	24+		95000		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	CEM6607	CET	1742+	SOP-8	98215	只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!	詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	CEM6607	CETSEMI	19+	SOP-8	67741	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	CEM6607	華瑞/CET	22+	SOP8L	23590	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多CEM6601A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 10:36:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫(kù)存