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DS1249W-100IND

3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1249W-100IND

Package:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1249W-100IND

Package:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1249W-100

3.3V2048kbNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1249W-100

3.3V2048kbNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1249W2048kbnonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas262,144wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DS1249W-100IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Mb(256K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    100ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MAXIM
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DALLAS
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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更多DS1249W-100IND供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 9:00:00