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FAM65HR51DS2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FAM65HR51DS2
廠商型號

FAM65HR51DS2
參數(shù)屬性

FAM65HR51DS2 包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 650V 33A 135W
功能描述

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter
IGBT MODULE 650V 33A 135W
文件大小

528.87 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-26 20:00:00

FAM65HR51DS2規(guī)格書詳情

FAM65HR51DS2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FAM65HR51DS2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Features

? SIP or DIP H?Bridge Power Module for On?board Charger (OBC) in

EV or PHEV

? 5 kV/1 sec Electrically Isolated Substrate for Easy Assembly

? Creepage and Clearance per IEC60664?1, IEC 60950?1

? Compact Design for Low Total Module Resistance

? Module Serialization for Full Traceability

? Lead Free, RoHS and UL94V?0 Compliant

? Automotive Qualified per AEC Q101 and AQG324 Guidelines

Applications

? DC?DC Converter for On?board Charger in EV or PHEV

Benefits

? Enable Design of Small, Efficient and Reliable System for Reduced

Vehicle Fuel Consumption and CO2 Emission

? Simplified Assembly, Optimized Layout, High Level of Integration,

and Improved Thermal Performance

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FAM65HR51DS2

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    半橋逆變器

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 描述：

    IGBT MODULE 650V 33A 135W

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