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FDMS9620S	文件：279.43 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET Q1: 30V, 16A, 21.5m廓 Q2: 30V, 18A, 13m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDMS9620S	文件：339.75 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDMS9620S_07	文件：339.75 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel PowerTrench? MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FM9620	文件：195.08 Kbytes Page：8 Pages	2ASynchronousMobilePowerIC	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富滿微電子深圳市富滿微電子集團股份有限公司	FUMAN
GSC9620	文件：308.77 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSC9620	文件：308.77 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF9620	文件：1.92643 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620	文件：160.83 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.5A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?Dynamicd	IRF International Rectifier	IRF
IRF9620	文件：58.57 Kbytes Page：7 Pages	3.5A,200V,1.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchingr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9620	文件：281.92 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRF9620	文件：159.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620PBF	文件：1.92643 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620PBF	文件：1.34911 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?Dynamicd	IRF International Rectifier	IRF
IRF9620PBF	文件：159.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620S	文件：165.28 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.5A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?SurfaceM	IRF International Rectifier	IRF
IRF9620S	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620S	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?P-channel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF9620SPBF	文件：1.0558 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. ?SurfaceM	IRF International Rectifier	IRF
IRF9620SPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
FDMS9620S
功能描述：
MOSFET 30V Dual N-Ch PowerTrench? MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	FDMS9620S	FAIRCHILD/仙童	24+	QFN8	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	FDMS9620S	FAIRCHILD/仙童	24+	QFN8	154646	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	FDMS9620S	onsemi	24+	8-PowerWDFN	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	FDMS9620S	FAIRCHILD	18+	QFN8	9860	一級代理/全新現(xiàn)貨/長期供應!	詢價
深圳市芯祺盛科技有限公司	FDMS9620S	ON	20+	Power56	6000		詢價
海芯未來半導體電子（深圳）有限公司	FDMS9620S	FAIRCHILD	24+	QFN8	6800		詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FDMS9620S	FAIRCHILD/仙童	2021+	QFN8	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價	詢價
深圳市拓億芯電子有限公司	FDMS9620S	FAIRCHILD/仙童	23+	QFN	25000	代理原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDMS9620S	onsemi(安森美)	23+	Power-56	9908	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	FDMS9620S	ON/安森美	2410+	SMD	80000	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價

更多FDMS9620S供應商更新時間2024-11-16 16:36:00

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