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HGT1S14N36G3VLS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
HGT1S14N36G3VLS |
| 參數(shù)屬性 | HGT1S14N36G3VLS 封裝/外殼為T(mén)O-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 390V 18A 100W TO263AB |
| 功能描述 | 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
| 文件大小 |
110.66 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Intersil Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Intersil |
| 中文名稱 | Intersil Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-25 17:36:00 |
HGT1S14N36G3VLS規(guī)格書(shū)詳情
Description
This N-Channel IGBT is a MOS gated, logic level device which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ignition circuits. Unique features include an active voltage clamp between the collector and the gate which provides Self Clamped Inductive Switching (SCIS) capability in ignition circuits. Internal diodes provide ESD protection for the logic level gate. Both a series resistor and a shunt resister are provided in the gate circuit.
Features
? Logic Level Gate Drive
? Internal Voltage Clamp
? ESD Gate Protection
? TJ = 175°C
? Ignition Energy Capable
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
HGT1S14N36G3VLS
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 5V，14A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
-/7μs
- 測(cè)試條件：
300V，7A，25歐姆，5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK（TO-263）
- 描述：
IGBT 390V 18A 100W TO263AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAI |
TO263 |
68900 |
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詢價(jià) | |||
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FAI |
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FAI |
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