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HGTG40N60C3中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
HGTG40N60C3 |
功能描述 | 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
文件大小 |
122.53 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-23 20:00:00 |
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HGTG40N60C3規(guī)格書詳情
75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
The HGTG40N60C3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage
drop varies only moderately between 25oC and 150oC.
Features
? 75A, 600V, TC= 25oC
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at TJ= 150oC
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
HGTG40N60C3
- 功能描述:
IGBT 晶體管
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3304 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
FSC |
02+ |
TO-247 |
1634 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
17+ |
NA |
9888 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
2016+ |
TO-3P |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
FSC |
23+ |
TO247 |
107 |
原裝環(huán)保房間現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Fairchi |
24+ |
TO247 |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
詢價(jià) | |||
FAI |
23+ |
65480 |
詢價(jià) |