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HM25N120FT	文件：1.21274 Mbytes Page：7 Pages	1200V /25A Trench Field Stop IGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM25N120T	文件：548.35 Kbytes Page：8 Pages	DAXIN??IGBTsofferlowerlossesandhigherenergyforapplicationsuchasmotordrive,UPS,inverterandothersoftswitchingapplications.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IXEH25N120	文件：182.34 Kbytes Page：4 Pages	NPT3IGBT Features ?NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientof saturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits ?optionalHiPerFRED?diode -fastreverserecovery -lowoperatingforward	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120A	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH25N120A	文件：32.61 Kbytes Page：2 Pages	IGBT IGBTImprovedSCSOACapability Features ?SecondgenerationHDMOSTMprocessLowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
K25N120	文件：329.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KGF25N120KDA	文件：1.57082 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGH25N120NDA	文件：64.44 Kbytes Page：6 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA GeneralDescription KECNPTIGBTsofferlowestlossesandhighestenergyefficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,Generalinverterandothersoftswitchingapplications. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highersystemefficiency ·Softcurrentturn-offwavef	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120KDA	文件：573.35 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120KDA	文件：567.69 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120NDA	文件：123.9 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120NDH	文件：1.48621 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
MGY25N120	文件：228.6 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MGY25N120	文件：153.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：171.59 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：256.3 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MIW25N120FA	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features ?LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology ?Positivetemperaturecoefficient ?Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ?Highshortcircuitcapability(10us) ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MIW25N120FA-BP	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features ?LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology ?Positivetemperaturecoefficient ?Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ?Highshortcircuitcapability(10us) ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
NGTB25N120FLWG	文件：188.23 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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更多HM25N120FT供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 16:07:00

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