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IXDH30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDR30N120	文件：69.09 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUSTMpackage HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUS?package(ElectricallyIsolatedBackSide) ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features ?NPTIGBTtechnology -highswitchingspeed -lowswitchinglosses -squareRBSOA,nolatchup -highshortcircuitcapability -	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFB30N120P	文件：147.92 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFL30N120P	文件：115.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN30N120P	文件：137.85 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN30N120P	文件：114.6 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA30N120	文件：348.6 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KGT30N120NDA	文件：592.77 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT30N120NDH	文件：593.17 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
NGTB30N120IHLWG	文件：162.73 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N120IHRWG	文件：182.02 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N120IHSWG	文件：173.62 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB30N120LWG	文件：177.65 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
RLPGB30N120CT	文件：865.74 Kbytes Page：6 Pages	IGBT Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLPGB30N120LCT	文件：1.61826 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SCT30N120	文件：800.69 Kbytes Page：13 Pages	Lowcapacitance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGW30N120KD	文件：359.23 Kbytes Page：13 Pages	30A-1200V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IHW30N120RZ	INFINEON	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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更多IHW30N120RZ供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 11:00:00

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