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IPB60R180P7

Marking：60R180P7；Package：PG-TO263-3；600V CoolMOS? P7 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB60R180P7

Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AMIP60R180P7

N-Channel600-V(D-S)MOSFET

KeyFeatures: ?LowrDS(on)trenchtechnology ?Lowthermalimpedance ?Fastswitchingspeed

AnalogPower

Analog Power

IIPD60R180P7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IIPP60R180P7

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPA60R180P7

600VCoolMOS?P7PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA60R180P7S

600VCoolMOS?P7PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPAN60R180P7S

MOSFET600VCoolMOS?P7PowerTransistor

Features ?Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding commutationruggedness ?Significantreductionofswitchingandconductionlosses ?ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts ?BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPAW60R180P7S

600VCoolMOS?P7PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R180P7

600VCoolMOS?P7PowerTransistor

MOSFET600VCoolMOSaP7PowerTransistor TheCoolMOS?7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600VCoolMOS?P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS?P

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IPB60R180P7供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 16:36:00

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