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IPD530N15N3

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD530N15N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;HalogenFree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD530N15N3G

N-channel, normal level

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IIPD530N15N3

N-ChannelMOSFETTransistor

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IIPP530N15N3

N-ChannelMOSFETTransistor

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IPB530N15N3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

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IPB530N15N3G

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=53mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·MotorDrive ·PowerSwitch

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N-channel,normallevel

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OptiMOS3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;HalogenFree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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OptiMOS3Power-Transistor

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant;HalogenFree ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitch

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OptiMOS3Power-Transistor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IPD530N15N3

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
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INFINEON/英飛凌
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TO-252
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全新原裝正品,優(yōu)勢價格
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更多IPD530N15N3供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 22:59:00

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