IRF3205ZL中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF3205ZL規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3205ZL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IR |
13+ |
TO-262 |
1116 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
50 |
6600 |
只做原裝,假一罰十,長期供貨。 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-262 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO-262 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供 |
詢價 |
