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IRF520NSPBF	文件：405.26 Kbytes Page：10 Pages	Advamced{rpcessTechnologySurfaceMount Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	FASTSWITCHING	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSTRLPBF	文件：414.57 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NSTRR	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520PBF	文件：224.76 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF520PBF	文件：135.35 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520S	文件：173.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520S	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?175°COperatingTemperature ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520SPBF	文件：212.59 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF520V	文件：200.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VL	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VLPBF	文件：225.14 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VPBF	文件：150.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF520VS	文件：129.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.165ohm,Id=9.6A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
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IRFI520A	文件：252.99 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI520A	文件：274.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI520G	文件：1.62794 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI520G	文件：178.39 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRF International Rectifier	IRF
IRFI520G	文件：991.08 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF520NSHR
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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