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IRFBC30AS	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30AS	文件：147.97 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30AS	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30AS	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASPBF	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRLPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRRPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30AS_V01	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASPBF	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASPBF	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRL	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRLPBF	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRLPBFA	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRR	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRRPBF	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFBC30AS
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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