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IRFBC30L

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)

Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It

IRF

International Rectifier

IRFBC30L

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)

Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt

IRF

International Rectifier

IRFBC30L

Power MOSFET

FEATURES ?Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) ?Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) ?Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) ?DynamicdV/dtrating ?150°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBC30L

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBC30LPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFBC30L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO-262
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多IRFBC30L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 16:40:00

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