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IRFBC30S

Power MOSFET

FEATURES ?Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) ?Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) ?Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) ?DynamicdV/dtrating ?150°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBC30S

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)

Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It

IRF

International Rectifier

IRFBC30S

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBC30S_V01

Power MOSFET

FEATURES ?Surface-mount(IRFBC30S,SiHFBC30S) ?Low-profilethrough-hole(IRFBC30L,SiHFBC30L) ?Availableintapeandreel(IRFBC30S, SiHFBC30S) ?DynamicdV/dtrating ?150°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFBC30SPBF

Power MOSFET

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IRFBC30STRLPBF

Power MOSFET

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFBC30S

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
TO-263
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提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多IRFBC30S供應商 更新時間2025-1-3 14:00:00

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