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IRFBE30STRLPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofP

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBE30STRLPBFA

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare? R

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBE30STRLPBFA

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFBE30STRL

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vishay Siliconix
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D2PAK(TO-263)
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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VISHAY/威世
2022
D2PAK
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多IRFBE30STRL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 11:22:00

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