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IRFBE30LPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRFBE30LPBF |
功能描述 | HEXFET Power MOSFET |
文件大小 |
588.09 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-6 16:05:00 |
人工找貨 | IRFBE30LPBF價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFBE30LPBF規(guī)格書詳情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
O Dynamic dv/dt Rating
O Repetitive Avalanche Rated
O Fast Switching
O Ease of Paralleling
O Simple Drive Requirements
O Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFBE30LPBF
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VishayPCS |
新 |
1449 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+23+ |
TO-262 |
27799 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
06+ |
TO-220 |
50 |
原裝 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
21+ |
TO-220A |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY專營進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
NA |
2511 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) |