IRFBE30S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFBE30S |
| 功能描述 | HEXFET? Power MOSFET |
| 文件大小 |
473.61 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-6 16:10:00 |
| 人工找貨 | IRFBE30S價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFBE30S規(guī)格書詳情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
O Dynamic dv/dt Rating
O Repetitive Avalanche Rated
O Fast Switching
O Ease of Paralleling
O Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFBE30S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
D2PAK |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
2022+ |
D2-PAK(TO-263) |
8000 |
只做原裝支持實(shí)單,有單必成。 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2022 |
D2PAK |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
IRFBE30STRLPBF |
575 |
575 |
詢價(jià) | ||||
IR |
24+ |
D2-PAK |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
AO |
23+ |
TO252 |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價(jià) |
