IRFBE30S中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFBE30S |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.20346 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-18 22:59:00 |
IRFBE30S規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
?
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFBE30S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-263 |
5587 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
VISH |
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價 | |||
VISHAY/威世 |
22+ |
D2PAK |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+23+ |
D2PAK |
12580 |
16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
VISHAY |
15+ |
D2-PAK(TO-263) |
4000 |
原裝正品長期供貨，如假包賠包換 徐小姐13714450367 |
詢價 | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價 | |||
IR |
2018+ |
TO263 |
6528 |
只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心 |
詢價 |
