IRFBE30S中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFBE30S規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
?
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFBE30S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2018+ |
TO263 |
6528 |
只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
D2PAK |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢價 | |||
VISHAY/威世 |
2022+ |
D2-PAK(TO-263) |
8000 |
只做原裝支持實單,有單必成。 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2022 |
D2PAK |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
IRFBE30STRLPBF |
575 |
575 |
詢價 | ||||
IR |
24+ |
D2-PAK |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 |
