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IRFDC20中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFDC20
廠商型號(hào)

IRFDC20

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.06558 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-11 11:22:00

IRFDC20規(guī)格書(shū)詳情

VDS (V) 600

RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 4.4

Qg (Max.) (nC) 18

Qgs (nC) 3.0

Qgd (nC) 8.9

Configuration Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? For Automatic Insertion

? End Stackable

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFDC20

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY
23+
DIP2
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
4-PinHVMDIP
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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DIP-4
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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DIP-4
115000
2500個(gè)/圓盤(pán)一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,
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絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
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4-DIP
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原廠原裝
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只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
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63
全新原裝 研究所指定供貨商
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Vishay Siliconix
22+
4DIP
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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