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IRFR120NPBF

FastSwitching

VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes

IRF

International Rectifier

IRFR120NPBF

SurfaceMount(IRFR120N)StraightLead(IRFU120N)

VDSS=100V RDS(on)=0.21? ID=9.4A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedes

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR120NPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFR120NPBF

SurfaceMount(IRFR120N)

IRF

International Rectifier

IRFR120N-TP

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

Features @Ros=100m@VGS=10V ?SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

IRFR120NTR

TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infraredorwavesolderingtechniques.

Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRFR120NTR

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infraredorwavesoldering techniques.Powerdissipationlevelsupto 1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemount applications. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR120NTRPBF

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

IRFR120NTRRPBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRFR120PBF

HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.27廓,ID=7.7A)

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFR120NCTRLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRFR120NCTRLPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 11:56:00

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