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CCP-18N15C-D	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳樹科技柳樹科技有限公司	WILLOW
CCP-18N15C-M	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳樹科技柳樹科技有限公司	WILLOW
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CCP-18N15C-T	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳樹科技柳樹科技有限公司	WILLOW
CCP-18N15C-TD	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳樹科技柳樹科技有限公司	WILLOW
CCP-18N15O-D	文件：591.23 Kbytes Page：10 Pages	CommercialNormallyOpenMulti-throw,DC-3GHz,LowPIM	WILLOWWillow Technologies Ltd 柳樹科技柳樹科技有限公司	WILLOW
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CCS-18N15C-D	文件：1.01711 Mbytes Page：16 Pages	NormallyOpenCoaxialSwitch	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
CCS-18N15C-M	文件：1.01711 Mbytes Page：16 Pages	NormallyOpenCoaxialSwitch	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
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CCS-18N15C-T	文件：1.01711 Mbytes Page：16 Pages	NormallyOpenCoaxialSwitch	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
CCS-18N15C-TD	文件：1.01711 Mbytes Page：16 Pages	NormallyOpenCoaxialSwitch	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
IIRFR18N15D	文件：335.68 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR18N15	文件：126.36 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits 1.LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses 2.FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) 3.FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFR18N15D	文件：126.36 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits 1.LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses 2.FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) 3.FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFR18N15D	文件：1.61353 Mbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR18N15D	文件：335.68 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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詳細參數

型號：
IRFR18N15DTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRFR18N15DTRL供應商更新時間2024-11-18 16:40:00

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