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IRFW640	文件：703.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRFW640B	文件：703.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRL640	文件：1.65092 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL640	文件：247.41 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640	文件：412.4 Kbytes Page：5 Pages	HEXFETPowerMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRL640	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL640A	文件：226.35 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.18? ID=18A FEATURES ?Logic-LevelGateDrive ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=20	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRL640A	文件：280.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL640PBF	文件：930.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.18廓,ID=17A)	IRF International Rectifier	IRF
IRL640PBF	文件：1.02455 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL640S	文件：271.5 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640S	文件：994.86 Kbytes Page：9 Pages	Repetitiveavalancherated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL640S	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL640SPBF	文件：992.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL640SPBF	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL640STRLPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRL640STRRPBFA	文件：1.01484 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRLI640	文件：332.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=9.9A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●	IRF International Rectifier	IRF
IRLI640A	文件：274.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLI640G	文件：1.72701 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFS640S/A	F	22+	TO-220F	6000	十年配單,只做原裝	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFS640S/A	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220F	32365	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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深圳市安富世紀電子有限公司	IRFS640S/A	VB	23+	TO-220F	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市柯爾基電子有限公司	IRFS640S/A	仙童/SEC	23+24	TO-220	9860	原廠原包裝。終端BOM表可配單?？砷_13%增值稅	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFS640S/A	VB	23+	TO-220F	7000		詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	IRFS640其他被動元件	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多IRFS640S/A供應商更新時間2024-12-23 14:01:00

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