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IRG4BC30FD-S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRG4BC30FD-S
廠商型號

IRG4BC30FD-S

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

文件大小

1.25649 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 16:29:00

IRG4BC30FD-S規(guī)格書詳情

Features

? Fast: Optimized for medium operating frequencies

(1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3.

? IGBT co-packaged with Hyperfast FRED diodes for ultra low

recovery characteristics.

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available.

? IGBTs optimized for specific application conditions.

? FRED diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics require less / no

snubbing.

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRG4BC30FD-S

  • 功能描述:

    IGBT W/DIODE 600V 31A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 類型:

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce(開):

    3V @ 15V,100A 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PLUS247?-3

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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