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IRG4BC30FD-S	文件：1.25649 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultral	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD-SPBF	文件：1.17757 Mbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter. parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3. ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultra	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC30FPBF	文件：218.21 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generatio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FPBF	文件：311 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC30K	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KDPBF	文件：347.44 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KDPBF	文件：321.45 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEShortCircuitRatedUltraFast1GBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packag	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KDS	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KD-S	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KD-SPBF	文件：350.48 Kbytes Page：10 Pages	INSUKATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC30KD-STRR	文件：225.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：210.45 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR ShortCircuitRatedUltraFastIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30KS	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRG4BC30FD-S
功能描述：
IGBT W/DIODE 600V 31A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
30
系列：
GenX3™ IGBT
類型：
PT 電壓 -
集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
1200V Vge,
Ic時(shí)的最大Vce（開）：
3V @ 15V，100A 電流 -
集電極(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PLUS247?-3
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRG4BC30FD-S	IR	2021+	TO-263	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRG4BC30FD-S	IR	24+	TO-263	5		詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRG4BC30FD-S	IR	2015+	D2-Pak	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRG4BC30FD-S	IR	05+	原廠原裝	50051	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRG4BC30FD-S	IR	23+	D2-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRG4BC30FD-S	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRG4BC30FD-S	IR	2020+	TO263	5000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRG4BC30FD-S	IOR	20+	TO220	20500	汽車電子原裝主營-可開原型號增稅票	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	IRG4BC30FD-S	IR	2020+	TO-263	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)

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