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IRG4BC30FPBF

Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Benefits ?Generatio

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FPBF

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 31A TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30FPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30F-STRLP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEShortCircuitRatedUltraFast1GBT

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packag

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30FPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，17A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    230μJ（開(kāi)），1.18mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    21ns/200ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，17A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 31A TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/IR
11+
TO-220-3
750
詢價(jià)
INFINEON/IR
1907+
NA
2150
20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
INFINEON/IR
21+
NA
800
只做原裝,假一罰十
 詢價(jià)
IR
24+
TO-220
3520
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
IR
17+
TO220
4129
主營(yíng)三極管量大發(fā)貨深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220AB
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
17+
TO220
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2016+
TO-220
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢價(jià)
IR
13+
14238
原裝分銷
 詢價(jià)
Infineon
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
更多IRG4BC30FPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 14:02:00

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