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IRG4IBC30FDPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC30KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRG4IBC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTTECOVERYDIODE

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IRG4IBC30KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) ?ShortCircuitRating10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

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IRG4IBC30S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4IBC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4IBC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(

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IRG4IBC30UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighter

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IRG4IBC30UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRG4IBC30UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighte

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IRG4IBC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?La

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IRG4IBC30WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4IBC30WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?ndustry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconduction

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4IBC30FDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，17A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    630μJ（開(kāi)），1.39mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    42ns/230ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，17A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
TO-220F
191
詢(xún)價(jià)
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17+
TO220
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
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24+
TO-220F
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
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1816+
TO-220F
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢(xún)價(jià)
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2020+
TO-220
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
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2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢(xún)價(jià)
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21+
TO-220
30000
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅
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1503+
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3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
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1923+
TO220
5000
正品原裝品質(zhì)假一賠十
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更多IRG4IBC30FDPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 16:30:00

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