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IRG4PC50U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystan

IRF

International Rectifier

IRG4PC50U

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4PC50U

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 55A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC50UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UD

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=27A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRG4PC50UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystan

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PC50UD-MP

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 55A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PC50UDPBF

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 55A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4PC50U

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，27A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    120μJ（開(kāi)），540μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    32ns/170ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，27A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 55A 200W TO247AC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
23+
TO-247
65400
詢價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
IR
15+
TO-247
11560
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存,長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
2015+
SOP/DIP
19889
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
IR
2022
T0247
4
原廠原裝正品,價(jià)格超越代理
 詢價(jià)
IR
06+
TO-247
2000
全新原裝 絕對(duì)有貨
 詢價(jià)
IR
16+
TO-3P
10000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
23+
TO-247
35890
詢價(jià)
IR
16+
原廠封裝
1024
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
23+
TO-3P
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
更多IRG4PC50U供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-31 15:20:00

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