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IRGSL4062DPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGSL4062DPBF
廠商型號

IRGSL4062DPBF

參數(shù)屬性

IRGSL4062DPBF 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 48A 250W TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

465.35 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 19:46:00

IRGSL4062DPBF規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

? Low switching losses

? Maximum Junction temperature 175 °C

? 5 μS short circuit SOA

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for 4X rated current (ILM)

? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient

? Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode

? Tight parameter distribution

? Lead Free Package

Benefits

? High Efficiency in a wide range of applications

? Suitable for a wide range of switching frequencies due to

Low VCE (ON) and Low Switching losses

? Rugged transient Performance for increased reliability

? Excellent Current sharing in parallel operation

? Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGSL4062DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,24A

  • 開關(guān)能量:

    115μJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    41ns/104ns

  • 測試條件:

    400V,24A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT 600V 48A 250W TO262

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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