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IRGSL4B60K分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRGSL4B60K |
| 參數(shù)屬性 | IRGSL4B60K 封裝/外殼為TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT NPT 600V 11A TO262 |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 文件大小 |
324.07 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-7 14:40:00 |
IRGSL4B60K規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
? Lead-Free.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRGSL4B60KD1PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，4A
- 開關(guān)能量：
73μJ（開），47μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/100ns
- 測試條件：
400V，4A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應商器件封裝：
TO-262
- 描述：
IGBT NPT 600V 11A TO262
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-262 |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
TO262 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-262 |
6528 |
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
24+ |
262 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3668 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO262 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
IR |
23+ |
262 |
50000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 |
