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IXFH12N50F	文件：303.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching HiPerRF?PowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH12N50F	文件：372.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM12N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP12N50	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=500mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP12N50P	文件：150.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiperFET Polar?PowerMOSFETHiperFET? N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP12N50PM	文件：114.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar?PowerMOSFETHiPerFET?(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Plasticovermoldedtabforelectricalisolation ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easyt	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT12N50F	文件：303.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-Class:MegaHertzSwitching HiPerRF?PowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA12N50P	文件：164.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier ?LowQG ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitance ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA12N50P	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH12N50	文件：65.16 Kbytes Page：1 Pages	12AMPS,450-500V,0.4OM/0.5OM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH12N50	文件：321.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH12N50A	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM12N50	文件：65.16 Kbytes Page：1 Pages	12AMPS,450-500V,0.4OM/0.5OM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM12N50A	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS?process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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JCS12N50CC-O-C-N-B	文件：1.61003 Mbytes Page：11 Pages	Lowgatecharge	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS12N50FC-O-F-N-B	文件：1.61003 Mbytes Page：11 Pages	Lowgatecharge	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFH12N50F
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFH12N50F	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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更多IXFH12N50F供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 9:00:00

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