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IXFX120N25P

Polar Power MOSFET HiPerFET

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrisicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicDiode ?AvalancheRated ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?Switched-ModeandResonant-ModePowe

IXYS

IXYS Corporation

IXTK120N25

HighCurrentMegaMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTK120N25

HighCurrentMegaMOSFET

HighCurrentMegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Internationalstandardpackage ?Fastswitchingtimes Applications ?Motorcontrols ?DCchoppers ?Switched-modepowersupplies Advantages ?Easyto

IXYS

IXYS Corporation

IXTK120N25P

PolarHTPowerMOSFET

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS) rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

IXTN120N25

HighCurrentMegaMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

RCJ120N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

RCJ120N25

Nch250V12APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RCX120N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

RCX120N25

10VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RDN120N25

Switching(250V,12A)

Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectricity. Application Switching

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

UPD120N25TA

THREE-TERMINALLOW-DROPOUTPOSITIVE-VOLTAGEREGULATOR(OUTPUTCURRENT:0.3A)

Features ?Outputcurrent:0.3A ?On-chipovercurrentprotectioncircuit ?On-chipthermalprotectioncircuit ?Smallcircuitoperationcurrent:60μATYP.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD120N25TA

THREE-TERMINALLOW-DROPOUTPOSITIVE-VOLTAGEREGULATOR(OUTPUTCURRENT:0.3A)

TheμPD120Nxxseriesprovideslow-voltageoutputregulatorswiththeoutputcurrentcapacitanceof0.3A.Theoutputvoltagevariesaccordingtotheproduct(1.5V,1.8V,2.5V,or3.3V).ThecircuitcurrentislowduetotheCMOSstructure,sothepowerconsumptionintheICscanbereduced.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFX120N25P

  • 功能描述：

    MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
PLUS247?-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247 PLUS
32189
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物
 詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
IXYS
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
ir
2023+
TO-247
80000
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
更多IXFX120N25P供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-22 14:13:00

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