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IXGF30N400分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGF30N400
廠商型號

IXGF30N400

參數(shù)屬性

IXGF30N400 封裝/外殼為i4-Pac?-5(3 引線);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK

功能描述

High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications
IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK

封裝外殼

i4-Pac?-5(3 引線)

文件大小

199.36 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 16:42:00

IXGF30N400規(guī)格書詳情

IXGF30N400屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGF30N400晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXGF30N400

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    5.2V @ 15V,90A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    i4-Pac?-5(3 引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述:

    IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS(艾賽斯)
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
1000
原裝現(xiàn)貨
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